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存储产业需求随摩尔定律放缓,价格持续上涨

类别:维库行情  出处:OFweek电子工程网  发布于:2018-10-31 15:46:24 | 768 次阅读

  2018年内存芯片价格持续居高不下,有报告显示,2018年第三季度和第四季度NAND闪存的平均销售价格预计将下降10%,其主要原因是因为市场需求不足,尤其是智能手机旺季却被滞销,再加上最近英特尔14nm产能不足的消息,导致了PC市场需求雪上加霜。
  三大存储器的价格大幅上涨
  2017年,存储器销售额为历年来最高点,超过1200亿美元,占全球半导体市场总值的30.1%。其主要原因,是DRAM和NAND Flash从2016年下半年起缺货,从而引发的涨价。
  1、DRAM平均售价同比上涨77%,销售总值达720亿美元,同比增长74%。
  2、NAND Flash平均售价同比上涨38%,销售总额达498亿美元,同比增长44%。
  3、NOR Flash销售总额为43亿美元。
  由此看出,三大存储器的价格大幅上涨导致全球存储器总体市场增长58%,存储器也首次超越历年占比最大的逻辑电路,成为全球半导体市场销售额占比最高的分支,在产业中占据极为重要的地位。
  存储器市场的景气大幅度攀升
  受惠于全球智能手机出货量的增长以及电子信息设备内存搭载量的不断攀升,从2016 年下半年起,全球存储器市场:DRAM 和 NAND 闪存等,结束了连续 18 个月的低迷景象,无论是存储器的出货量还是销售价格,都出现了大幅度的提升。据多家市场调研机构调查分析,这一轮存储器市场的景气延续至2017年和2018年上半年。
  2016 年全球 DRAM 的销售规模为454亿美元;而Flash的销售规模为319亿美元,其中NAND Flash为312亿美元,NOR Flash仅为7亿美元左右。全球存储器的市场规模为773亿美元,比2015年减少7.3%。初步统计2017年存储器市场规模达到853亿美元,较2016年增长10.3%。到2021年可望扩大至1099亿美元,2016~2021年年均增长率将达7.3%。
  与此同时,存储器的制造技术也显着提升,全球三大 DRAM 厂商的制程技术从2X nm推进到1X nm,3D NAND闪存从48层提升至64层,ReRAM和MRAM越来越显示出它们的应用前景。
  存储器产能有限,量价齐增
  目前,三星、SK 海力士两大韩系厂商在扩产脚步上是猛踩油门,包括三星在韩国平泽的P1厂房和Line 15生产线,以及SK海力士的M14生产线,与此同时,美光在广岛的Fab 15和Fab 16也有DRAM扩产计划,但产能的增加仍主要依靠两大韩系厂商。
  根据三家公司目前最新的建厂规模,2017年全球每季度芯片产能为1100K左右。到2018年,预计三星和SK海力士将会有接近20%左右的产能提升,美光的产能增量为10%,预计全球每季度芯片产能为1200K左右。
  随着工艺尺寸越来越小,DRAM良率无法得到有效控制,导致DRAM产能增速的放缓,与此同时,EUV光刻设备年产能极其有限,这些问题使得DRAM工艺节点突破困难重重,各厂商工艺进度计划也被迫一再推迟。再加上卖方主导DRAM市场和新型非易失性存储器技术的出现,进一步造成了全球范围内DRAM龙头企业技术升级和扩产意愿下降。
  总的来说,DRAM扩产受困于技术瓶颈和国际大厂的垄断,2018-2020年全球bit growth将继续徘徊在20%左右的历史低位水平。但是下游终端应用的市场需求将持续温和上升,特别是终端品牌继续向国产品牌集中,造成国产手机对于DRAM产品的需求出现区域性的增加,同时5G、云计算、IDC等将拉动服务器应用大幅增长,随着5G商用的节点越来越近,将带动内存市场需求的加速提升。
关键词:存储产业 

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