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英飞凌CoolGaN推动GaN产业的发展

类别:名企新闻  出处: OFweek  发布于:2018-12-04 10:11:52 | 117 次阅读

  GaN作为第三代半导体材料,是如今全球半导体企业研究的热门领域。与硅材料相比,GaN具有更宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好、强腐蚀性等特点,它在光电子、激光器、高温大功率器件和高频微波器件等领域有着很广阔的应用前景。从研究到商业化,GaN走过了很多个春夏秋冬,尽管GaN材料的优势非常明显,但它离真正大规模的产业化仍有很长的路要走。在全球范围内能将GaN推向大规划商业化的企业微乎其微,英飞凌可谓是其中的领导者,近日它们推出的GaN解决方案CoolGaNTM600 V增强型HEMT和GaN开关管专用驱动IC,在业内引起了广泛关注。
  11月28日下午,英飞凌在深圳举办了CoolGaNTM 媒体见面会,英飞凌大中华区副总裁电源管理及多元化市场事业部负责人潘大伟、英飞凌科技奥地利股份有限公司电源管理与多元化事业部资深市场营销经理邓巍等高层与数十家行业媒体进行了交流和探讨。
  英飞凌:功率半导体与传感器件的领导者

晶体管,在数字信号处理上的应用非常广泛。潘大伟表示,2017年MOSFEET的整体市场份额是66.5亿,英飞凌占了26.3%,位居行业第一;英飞凌在分立式功率半导体领域非常成功,在射频和传感器方面也有很大的业绩。潘大伟提到,英飞凌的愿景是将一个现实世界与数字世界连接在一起,使命是让生活更加便利、安全和环保,CoolGaNTM是实现公司愿景非常重要的一个产品。随着CoolGaNTM 600V增强型HEMT和GaN EiceDRIVER栅极驱动IC的推出,目前,英飞凌是市场上唯一一家提供涵盖硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的全系列功率产品的公司。

适配器等,英飞凌希望与客户、分销商一起来探索GaN更多新的应用领域。
  邓巍继续说道,CoolGaNTM拥有行业领先的可靠性,在质量控制过程中,英飞凌不仅对器件本身进行全面测试,而且对其在应用环境中的性能进行全面测试,这确保了CoolGaNTM开关满足甚至优于最高质量标准。英飞凌新推出的氮化镓开关管驱动芯片EiceDRIVERIC是CoolGaNTM增强型HEMT的完美搭档,经专门研发,英飞凌确保CoolGaNTM开关实现强健且高效的运行,同时最大限度地减少工程师研发工作量,加快将产品推向市场。他强调,GaN栅极驱动IC可实现恒定的GaN HEMT开关转换速率,几乎不受工作循环或开关速度影响,这可确保运行的稳健性和很高能效,大大缩短研发周期。

关键词:英飞凌 

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