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NAND资讯

美光拿出第4代3D NAND芯片样品

美光科技已流片首批四代3DNAND存储芯片,它们根据美光全新的RG构架。该企业即将在2020年制造商用四代3DNAND运行内存,但美光警示称,应用新构架的存储芯片将仅用于特定运用...

分类:名企新闻 时间:2019/10/8 阅读:455 关键词:3D NAND芯片美光

中国首次量产 64层3D NAND闪存芯片影响几何

近日,紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。产品将应用于固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用。这是中国首...

分类:业界要闻 时间:2019/9/17 阅读:882 关键词:3D NAND闪存芯片

DRAM、NAND Flash合约价涨声乍起,群联、南亚科等营运好转

受到美中贸易战及日韩纷争等消息面影响,记忆体现货价8月中以来上冲下洗、明显震荡。但合约价却传出好消息,8月标准型DRAM合约价确定止跌,利基型合约价小涨,第四季有机会反弹,NAND Flash合约价8月则持平至小涨,9月及10月有续涨空间。...

分类:维库行情 时间:2019/9/4 阅读:1224 关键词:DRAM关税

重磅两连发!长江存储将宣布第二代Xtacking 3D NAND架构

紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司(以下简称“长江存储”)今日宣布,将在其第三代3D NAND闪存中应用Xtacking2.0,相关技术概念将在即将举办的IC China 2019上进行介...

分类:名企新闻 时间:2019/9/4 阅读:1069 关键词:长江存储

采用Xtacking架构,长江存储启动64层3D NAND闪存量产

紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司(以下简称“长江存储”) 在IC China 2019前夕宣布,公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存①,以满足固态硬...

分类:业界要闻 时间:2019/9/2 阅读:903 关键词:Xtacking架构长江存储闪存

64层堆叠的NAND闪存公开亮相,意味着国产内存前进一大步

众所周知,在内存领域主要有两大类型产品,一种是DRAM,一种是NAND。其中DRAM是用于做运行内存,比如电脑内存,手机内存等均是DRAM。而NAND主要做来做存储产品,比如SSD、U...

分类:业界动态 时间:2019/8/30 阅读:724 关键词:NAND闪存

三星推出第六代 V-NAND,高达136层

三星周二推出了第六代V-NAND内存,为了进一步提高容量和密度,它拥有100多个层堆叠。从性能的角度来看,要使V-NAND具有超过100层的可行性,该公司不得不使用新的电路设计技术。与三星的上一代V-NAND相比,新内存的延迟降低了10%,功耗降...

分类:新品快报 时间:2019/8/8 阅读:1744 关键词:三星 V-NAND

模组厂:NAND Flash价格有望再涨30%

NAND Flash近期市况热门,日韩贸易战更让NAND Flash价格看涨。NAND Flash控制芯片暨模组厂群联董事长潘健成表示,7月以来,现货价格已经涨约超过一成,理性来看,未来还有2...

分类:维库行情 时间:2019/7/16 阅读:2808

传三星欲将其NAND闪存价格提高10%,美光有意效仿

报道称,其他闪存制造商,如美光科技等公司也可能效仿。  此前,在东芝发生停电事故后,三星电子的供需状况有所改善。NAND闪存库存已经减少到四周,大约是DRAM库存的一半...

分类:行业趋势 时间:2019/7/12 阅读:2154 关键词:三星闪存价格

受日本制裁,三星电子将提高NAND闪存价格,美光考虑跟进

据BusinessKorea报道,因受日本制裁,三星电子计划将NAND闪存价格提高10%,美光科技(Micron Technology)等其它公司可能也会效仿。  报道称,东芝公司发生停电事故后,三...

分类:行业趋势 时间:2019/7/11 阅读:1540 关键词:三星电子NAND闪存价格美光

NAND技术

基于NIOS II 软核的NAND FLASH的驱动方法

NAND FLASH被广泛应用于电子系统中作为数据存储。在各种高端电子系统中现场可编程门阵列(FPGA)已被广泛应用。FPGA灵活的硬件逻辑能实现对NAND FLASH的读写操作。本文中阐述...

设计应用 时间:2018/8/28 阅读:204

S3C2440 NAND Flash的使用

基本知识  NAND flash: 速度快,擦写5ms内;位翻转概率较大,为10%左右;容量大,块容量在8K以上,擦写次数较多;接口为IO接口  NOR flash: 速度慢,擦除5S时间;位翻转概率小于NAND flash;容量较小,块容量在64K以上,擦写次数没...

设计应用 时间:2018/7/24 阅读:193

关于S3C2440开发板Nand flash程序烧写和运行的一些理解

这两天刚开始学习ARM9的裸机编程和Linux系统移植,在烧写Nand flash内存的时候对一些指定的地址产生了疑惑。  我看过很多教学视频,他们在烧写程序到Nand flash的时候一般会指定一个地址0X3000_0000,而S3C2440的官方手册上指明了0X300...

基础电子 时间:2018/7/23 阅读:271

深入剖析SK海力士最新72层3D NAND

拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存芯片──海力士(SK Hynix)的256-Gbit 72层TLC NAND,指该芯片具备市场上最高闸极堆栈的产品。   在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中,所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scal...

新品速递 时间:2018/6/12 阅读:379

DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存储器分析

内存的正式名字叫做“存储器”,是半导体行业三大支柱之一。2016年全球半导体市场规模为3400亿美金,存储器就占了768亿美元。对于你身边的手机、平板、PC、笔记本等所有电子产品来说,存储器就类似于钢铁之于现代工业,是名副其实的电子...

基础电子 时间:2018/6/8 阅读:869

基于ClearNAND闪存的系统设计改进方案

自问世以来,NAND闪存对ECC(纠错码)纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题,但是支持最新的多层单元(MLC)架构和每单元存储三位数据(three-bit-per-cell)技术所需的...

技术方案 时间:2017/6/27 阅读:954

DRAM与NAND差别这么大,存储之争都争啥

什么是DRAM?DRAM(DynamicRandomAccessMemory),即动态随机存取存储器,最为常见的系统内存。DRAM只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一...

设计应用 时间:2017/3/18 阅读:6962

三星48层3D V-NAND闪存技术揭秘

三星已经连续推出两代立体堆叠3D闪存,分别有24层、32层,并已用于850EVO、850Pro等多款固态硬盘产品,2015年8月正式量产首款可应用于固态硬盘(SSD)中的48层3bitMLC256Gb3DV-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48

设计应用 时间:2016/7/13 阅读:2727

把大象关冰箱的步骤 --- NAND FLASH控制器磨损管理算法芯片化硬实现

把大象关冰箱的步骤---NANDFLASH控制器磨损管理算法芯片化硬实现目前,存储领域包括eMMC,SATASSD,PCIeSSD等控制器是一个非常热门的领域。通常,由于NANDFLASH易于损坏的特...

设计应用 时间:2016/1/26 阅读:1271

Spansion调整NAND产品规划,推工业级e.MMC

2012年,Spansion公司宣布其首个单层单元(SLC)系列NAND闪存产品开始出样,并同时公布了未来五年的技术规划图:包括将采用4xnm浮栅技术的1Gb到8GbSLCNAND解决方案,在2012...

新品速递 时间:2014/12/9 阅读:948

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